AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

簡要描述：

廣電計(jì)量AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

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更新日期：2024-09-04

價(jià)格：

AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

詳細(xì)介紹

品牌	廣電計(jì)量	加工定制	是
服務(wù)區(qū)域	全國	服務(wù)周期	常規(guī)3-5天
服務(wù)類型	元器件篩選及失效分析	服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認(rèn)可
證書報(bào)告	中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告	增值服務(wù)	可加急檢測(cè)
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)服務(wù)背景

IC作為重要的車載元器件部件，是AEC委員會(huì)持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。AEC-Q100對(duì)IC的可靠性測(cè)試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗(yàn)證、缺陷篩查、包裝完整性試驗(yàn)，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級(jí)選擇測(cè)試條件。需要注意的是，第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗(yàn)證，需要晶圓供應(yīng)商、封測(cè)廠配合完成，這更加考驗(yàn)對(duì)認(rèn)證試驗(yàn)的整體把控能力。廣電計(jì)量將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)客戶的IC進(jìn)行評(píng)估，出具合理的認(rèn)證方案，從而助力IC的可靠性認(rèn)證。

廣電計(jì)量失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)產(chǎn)品范圍

集成電路(IC)

測(cè)試周期

3-4個(gè)月，提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)

測(cè)試項(xiàng)目

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	縮寫	樣品數(shù)/批	批數(shù)	測(cè)試方法
A組加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)
A1	Preconditioning	PC	77	3	J-STD-020、
A1	Preconditioning	PC	77	3	JESD22-A113
A2	Temperature-Humidity-Bias	THB	77	3	JESD22-A101
A2	Biased HAST	HAST	77	3	JESD22-A110
A3	Autoclave	AC	77	3	JESD22-A102
	Unbiased HAST	UHST			JESD22-A118
	Temperature-Humidity (without Bias)	TH			JESD22-A101
A4	Temperature Cycling	TC	77	3	JESD22-A104、Appendix 3
A5	Power Temperature Cycling	PTC	45	1	JESD22-A105
A6	High Temperature Storage Life	HSTL	45	1	JESD22-A103
B組加速壽命模擬試驗(yàn)
B1	High Temperature Operating Life	HTOL	77	3	JESD22-A108
B2	Early Life Failure Rate	ELFR	800	3	AEC-Q100-008
B3	NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life	EDR	77	3	AEC-Q100-005
C組封裝完整性測(cè)試
C1	Wire Bond Shear	WBS	最少5個(gè)器件中的30根鍵合線		AEC-Q100-001、AEC-Q003
C2	Wire Bond Pull	WBP			MIL-STD883 method 2011、
C2	Wire Bond Pull	WBP			AEC-Q003
C3	Solderability	SD	15	1	JESD22-B102或 J-STD-002D
C4	Physical Dimensions	PD	10	3	JESD22-B100、 JESD22-B108
C4	Physical Dimensions	PD	10	3	AEC-Q003
C5	Solder Ball Shear	SBS	至少10個(gè)器件的5個(gè)鍵合球	3	AEC-Q100-010、
C5	Solder Ball Shear	SBS	至少10個(gè)器件的5個(gè)鍵合球	3	AEC-Q003
C6	Lead Integrity	LI	至少5個(gè)器件的10根引線	1	JESD22-B105
D組晶圓制造可靠性測(cè)試
D1	Electromigration	EM	/	/	/
D2	Time Dependent Dielectric Breakdown	TDDB	/	/	/
D3	Hot Carrier Injection	HCI	/	/	/
D4	Negative Bias Temperature Instability	NBTI	/	/	/
D5	Stress Migration	SM	/	/	/
E組電學(xué)驗(yàn)證測(cè)試
E1	Pre- and Post-Stress Function/Parameter	TEST	所有要求做電學(xué)測(cè)試的應(yīng)力試驗(yàn)的全部樣品		供應(yīng)商或用戶規(guī)格
E2	Electrostatic Discharge Human Body Model	HBM	參考測(cè)試規(guī)范	1	AEC-Q100-002
E3	Electrostatic Discharge Charged Device Model	CDM	參考測(cè)試規(guī)范	1	AEC-Q100-011
E4	Latch-Up	LU	6	1	AEC-Q100-004
E5	Electrical Distributions	ED	30	3	AEC Q100-009
E5	Electrical Distributions	ED	30	3	AEC Q003
E6	Fault Grading	FG	-	-	AEC-Q100-007
E7	Characterization	CHAR	-	-	AEC-Q003
E9	Electromagnetic Compatibility	EMC	1	1	SAE J1752/3-輻射
E10	Short Circuit Characterization	SC	10	3	AEC-Q100-012
E11	Soft Error Rate	SER	3	1	JEDEC
					無加速：JESD89-1
					加速：JESD89-2或JESD89-3
E12	Lead (Pb) Free	LF	參考測(cè)試規(guī)范	參考測(cè)試規(guī)范	AEC-Q005
F組缺陷篩選測(cè)試
F1	Process Average Testing	PAT	/	/	AEC-Q001
F2	Statistical Bin/Yield Analysis	SBA	/	/	AEC-Q002
G組密封封裝完整性測(cè)試
G1	Mechanical Shock	MS	15	1	JESD22-B104
G2	Variable Frequency Vibration	VFV	15	1	JESD22-B103
G3	Constant Acceleration	CA	15	1	MIL-STD883 Method 2001
G4	Gross/Fine Leak	GFL	15	1	MIL-STD883 Method 1014
G5	Package Drop	DROP	5	1	/
G6	Lid Torque	LT	5	1	MIL-STD883 Method 2024
G7	Die Shear	DS	5	1	MIL-STD883 Method 2019
G8	Internal Water Vapor	IWV	5	1	MIL-STD883 Method 1018