IGBT及第三代半導體器件全參數(shù)測試

簡要描述：

廣電計量專家團隊深入解讀IGBT測試相關(guān)標準，建立功率模塊可靠性驗證技術(shù)能力，可以為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供IGBT及第三代半導體器件全參數(shù)測試驗證報告。

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更新日期：2024-09-04

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詳細介紹

品牌	廣電計量	加工定制	是
服務(wù)區(qū)域	全國	服務(wù)周期	常規(guī)3-5天
服務(wù)類型	元器件篩選及失效分析	服務(wù)資質(zhì)	CMA/CNAS認可
證書報告	中英文電子/紙質(zhì)報告	增值服務(wù)	可加急檢測
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

IGBT及第三代半導體器件全參數(shù)測試服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。

IGBT及第三代半導體器件全參數(shù)測試檢測標準

l AEC-Q101分立器件認證

l MIL-STD-750半導體器件試驗?法

l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l GB/T29332半導體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

l AQG324功率模塊?規(guī)認證

檢測項目

試驗類型	試驗項?
靜態(tài)參數(shù)	BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…
動態(tài)參數(shù)	td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…
其他參數(shù)	Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，其中，IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破，第三代半導體功率器件也開始由實驗室階段步?商業(yè)應(yīng)用。通常這些新型器件測試要求更?的電壓和功率?平，更快的開關(guān)時間，對測試設(shè)備及人員技術(shù)要求?，在研發(fā)時間與成本的雙重壓力下，全參數(shù)測試成為不少制造商的難題。

我們的優(yōu)勢

廣電計量積極布局新型IGBT及第三代半導體功率器件的測試業(yè)務(wù)，引進測試技術(shù)，為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測服務(wù)。同時，廣電計量通過構(gòu)筑檢測認證與分析?體化平臺，為客?提供器件可靠性驗證及失效分析，幫助客戶分析失效機理，指導產(chǎn)品設(shè)計及?藝改進。